Przełomowe "pamięci macierzowe"?
20 marca 2008, 11:30Kalifornijska firma Nanochip Inc. ogłosiła, że dokonała przełomu w rozwijanej przez siebie od 12 lat technologii "pamięci macierzowej". To technologia, która nie jest zależna od Prawa Moore'a - mówi Gordon Knight, dyrektor Nanochipa.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
Barcelona oficjalnie
10 września 2007, 07:42Dziesiąty września to dzień oficjalnej rynkowej premiery procesora Barcelona firmy AMD. Długo oczekiwany i opóźniony o pół roku układ jest pierwszym w historii „prawdziwym” czterordzeniowcem, a jego producent liczy, iż Barcelona wydobędzie go z kłopotów finansowych i pozwoli na ponowne nawiązanie równorzędnej walki z Intelem.
Materiały zmiennofazowe mogą zastąpić krzem
19 września 2014, 19:24Ograniczenia wielkości oraz prędkości współczesnych procesorów i układów pamięci można pokonać zastępując krzem materiałami zmiennofazowymi (PCM). Materiały takie są w stanie w ciągu miliardowych części sekundy zmieniać swoją strukturę pomiędzy przewodzącą krystaliczną a nieprzewodzącą amorficzną
Wielki sukces Chin na rynku superkomputerów
20 czerwca 2016, 11:13Nowy chiński superkomputer, Sunway TaihuLight, znalazł się na czele najnowszej listy TOP500. Wydajność maszyny w teście Linpack wyniosła 93 petaflopsy, jest więc trzykrotnie większa od dotychczasowego lidera, również chińskiego Tianhe-2. Jednak tym, o czym należy przede wszystkim wspomnieć, jest fakt, że Sunway TaihuLight to w pełni chińska konstrukcja
Źródło dużych grup fotonów – pierwszy fotonowy "scalak"
9 lutego 2017, 11:15Holograficzna pamięć atomowa, wymyślona i skonstruowana przez fizyków z Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego, jest pierwszym urządzeniem zdolnym na żądanie generować pojedyncze fotony w grupach liczących po kilkadziesiąt i więcej sztuk.
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Płyta główna z kośćmi DDR3
15 lipca 2007, 08:05W ofercie ASUS-a znalazła się płyta główna P5K3 Premium z intelowskim chipsetem P35 Express. Od innych podobnych urządzeń różni się ona tym, że producent sprzedaje ją wraz z dwoma gigabajtami pamięci DDR3 taktowanymi 1333-megahercowym zegarem.
Pamięć komórki
28 stycznia 2009, 09:33Do tej pory pamięć wiązano ze wzmacnianiem połączeń między określonymi grupami neuronów. Teraz dr Don Cooper z University of Texas Southwestern Medical Center odkrył, że komórki nerwowe z przedniej części mózgu mogą przez krótki czas – minutę, a może dłużej - przechowywać informacje "na własną rękę".
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 …
